Bao说杂谈

1974年10月，IBM的工程师罗伯特·登纳德和他的团队，在《IEEE固态电路期刊》上发表了一篇论文，这篇论文​说：登纳德和同事用一维器件模型（建立在泊松方程基础上），给出了一组关于缩放因子的明确数学关系。结论极其优美： 当你把一个MOSFET的物理尺寸按比例 k 缩小（k 大于1），同时把工作电压也按 1/k 缩小、把衬底掺杂浓度按 k 放大，让晶体管内部的电场强度保持不变，那么神奇的事情就会发生——晶体管的开关延迟按 1/k 减小（速度变快），单位面积的功耗密度保持不变，占用面积按 1/k² 减小。 这就是著名的登纳德缩放定律。

1974年10月，IBM的工程师罗伯特·登纳德和他的团队，在《IEEE固态电路期刊》上发表了一篇论文，这篇论文​说：登纳德和同事用一维器件模型（建立在泊松方程基础上），给出了一组关于缩放因子的明确数学关系。结论极其优美： 当你把一个MOSFET的物理尺寸按比例 k 缩小（k 大于1），同时把工作电压也按 1/k 缩小、把衬底掺杂浓度按 k 放大，让晶体管内部的电场强度保持不变，那么神奇的事情就会发生——晶体管的开关延迟按 1/k 减小（速度变快），单位面积的功耗密度保持不变，占用面积按 1/k² 减小。 这就是著名的登纳德缩放定律。